大學畢業(yè)生到司學習，開啟科技探索之旅
2024-12-29
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高純碳化硅粉體合成方法研究現(xiàn)狀綜述
碳化硅作為第三代半導體的代表材料之一，適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。
單層芯片電容的制備方法
單層芯片電容被廣泛應用于電子對抗、雷達和衛(wèi)星通訊等方面，具有量大面廣的特點。
?輸入電壓檢測安全保護功能的前提下空載功耗仍然能夠小于30mW
采用BiCDMOS高耐壓工藝，在內(nèi)置高邊MOSFET(非同步整流型*4)的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC中，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高的80V耐壓等級，從而可以使安全工作范圍更寬?！ ∨c同等輸出電流的普通產(chǎn)品相比，耐壓成功地提高了約20%，不僅在5G通信基站和服務(wù)器等的48V主電源系統(tǒng)中，而且在電池日益大型化的電動自行車和電動工具的60V電源系統(tǒng)中，都擁有足夠的余量應對突發(fā)性的浪涌電壓，因此有助于提高應用產(chǎn)品的
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發(fā)布時間：2020-12-07 18:30:37
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