單層芯片電容被廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達和衛(wèi)星通訊等方面，具有量大面廣的特點。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進步，對于單層芯片電容的質(zhì)量可靠性提出了更高的要求。目前，用普通方法制備的單層芯片電容普遍存在失效率高、合格率低、可靠性低的缺陷。特別是在制備過程中，陶瓷制備氣孔缺陷、陶瓷金屬化過程附著力小和切割過程帶來基體機械損傷等缺陷，嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的可靠性，難以滿足客戶的需求。

　　將用于基片清洗的洗片盒子用去離子水洗凈;將陶瓷基片放入洗片盒子中，用無水酒精進行清洗。超聲波電壓調(diào)為150±50V，清洗時間為20±2min，之后用棉簽輕輕擦拭陶瓷基片;再放入超聲波清洗機中進行用清洗劑(濃度為5%)清洗，超聲波輸出電壓調(diào)150±50V，清洗時間為20±2min，必須浸沒所有基片;最后，用去離子水清洗20±2min，在加熱至100±3℃的水浴爐中清洗。清洗完畢后，將基片取出。

　　將平整的陶瓷基片粘接在藍膜上，設(shè)置主軸的轉(zhuǎn)速和切割速度進行切割。其中，主軸轉(zhuǎn)速設(shè)置為26000~34000轉(zhuǎn)/分，切割速度設(shè)置為0.3~0.8mm/s;切割時先進行小樣切割，依據(jù)小樣產(chǎn)品電性能進行切割尺寸參數(shù)調(diào)整，提高產(chǎn)品的命中率。切割后剔除邊角料;用酒精脫水，采用70℃~150℃的溫度，烘干時間設(shè)置為30min。

　　在陶瓷金屬化過程中，采用全濺射方式，減少了電鍍工序帶來的影響。