碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表材料之一，適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。目前制作器件用的碳化硅單晶襯底材料一般采用PVT(物理氣相傳輸)法生長。研究表明，SiC粉體的純度以及其他參數(shù)如粒度和晶型等對PVT法生長SiC單晶晶體質(zhì)量乃至后續(xù)制作的器件質(zhì)量都有一定影響。

　　SiC粉體的合成方法多種多樣，總體來說，大致可以分為三種方法。第一種方法是固相法，其中具有代表性的有碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法;第二種方法是液相法，其中具有代表性的方法主要是溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法;第三種方法是氣相法，其中包括化學(xué)氣相沉積法、等離子體法和激光誘導(dǎo)法等。

　　以往的自蔓延合成法是以外加熱源點燃反應(yīng)物坯體，然后利用自身物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)熱使得后續(xù)的化學(xué)反應(yīng)過程自發(fā)地持續(xù)進行，從而合成材料的一種方法。該法大都以硅粉和碳黑為原料，并填加其他活化劑，在1000~1150℃以顯著的速度直接發(fā)生反應(yīng)，生成SiC粉體，活化劑的引入勢必影響合成產(chǎn)物的純度和質(zhì)量。因此，很多研究者在此基礎(chǔ)上提出了改進的自蔓延合成法，改進之處主要是避免活化劑的引入，通過提高合成溫度和持續(xù)供應(yīng)加熱來保證合成反應(yīng)持續(xù)有效地進行。